Navnet halvleder kommer af det faktum, at disse materialer har en elektrisk ledningsevne mellem den elektriske ledningsevne for et metal som kobber, guld osv. og en isolator som glas. De har et energigap på mindre end 4eV (ca. 1eV). Inden for faststoffysik er dette energigap eller båndgab et energiområde mellem valensbåndet og ledningsbåndet, hvor elektrontilstande er forbudt. Halvlederes egenskaber bestemmes af energigabet mellem valens- og ledningsbånd. For at forstå, hvad en halvleder er, skal vi definere disse begreber.

I faststoffysikken er energigabet eller båndgabet et energiområde mellem valensbåndet og ledningsbåndet, hvor elektrontilstande er forbudt. I modsætning til ledere skal elektronerne i en halvleder få energi (f.eks. fra ioniserende stråling) for at krydse båndgabet og nå frem til ledningsbåndet. Bandgabet er naturligvis forskelligt for forskellige materialer. Diamant er f.eks. en halvleder med bred båndkløft (Egap = 5,47 eV) og har et stort potentiale som materiale til elektronisk udstyr i mange apparater. På den anden side har germanium en lille båndgabsenergi (Egap = 0,67 eV), hvilket kræver, at detektoren drives ved kryogene temperaturer.