半導体の名前は、銅、金などの金属とガラスなどの絶縁体の間の電気伝導度を持つ材料であることに由来しています。 4eV以下（約1eV）のエネルギーギャップを持つ。 固体物理学では、このエネルギーギャップまたはバンドギャップを、価電子帯と伝導帯の間で電子の状態が禁じられたエネルギー範囲と呼ぶ。 半導体の特性は、価電子帯と伝導帯の間のエネルギーギャップによって決定される。

固体物理学では、エネルギーギャップまたはバンドギャップは、電子の状態が禁止されている価電子帯と伝導帯の間のエネルギー範囲であると定義されています。 導体とは対照的に、半導体の電子はバンドギャップを越えて伝導帯に到達するために（たとえば電離放射線から）エネルギーを得なければならない。 バンドギャップは、当然ながら物質によって異なる。 例えば、ダイヤモンドはワイドバンドギャップ半導体（Egap = 5.47 eV）であり、電子デバイス材料として多くのデバイスで高いポテンシャルを発揮している。 一方、ゲルマニウムはバンドギャップエネルギーが小さく（Egap=0.67eV）、極低温で検出器を動作させる必要がある

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